Које методе премаза могу да узгајају танке филмове од једног кристала?

Која је разлика између ЦВД, ПВД и епитаксијалне опреме?

Категорија ЦВД, ПВД и епитаксијални процес

ЦВД,ПВД,?
ЦВД:ЛПЦВД,АПЦВД,САЦВД,ПЕЦВД,ХДПЦВД,ФЦВД,МОЦВД, итд.
ПВД: испаравање електронског зрака, магнетронско распршивање, ПЛД (пулсно ласерско таложење) итд.

Епитаксијална: епитаксија молекуларног зрака МБЕ, епитаксија гасне фазе ВПЕ, епитаксија течне фазе ЛПЕ, епитаксија чврсте фазе СПЕ, итд

Међу њима, ЦВД, ПВД и епитаксија су у принципу слични и постоји много начина да се класификују, а горе је мој метод класификације.

Механизам стварања филмаЦВД,ПЦВДиЕпитаксијално?

Као што је приказано на горњој слици, није ни чудо што су горе наведене три методе таложења танког филма:

2Д режим раста слој по слој У овој методи премаза, раст танког филма се врши слој по слој, а сваки слој атома или молекула у потпуности покрива површину плочице пре него што почне следећи слој. Овај начин раста може резултирати веома равним површинама филма, као што су структуре суперрешетке.

3Д раст острва (Волмер-Вебер)

У овом режиму, раст филма више није слој по слој, већ формирање дисконтинуираних острва у неким локализованим деловима површине плочице, која се постепено повећавају и на крају покривају целу плочицу. Сила интеракције између резултујућег филма и подлоге је слаба, а површина слободне енергије филма је велика.

Раст у мешовитом режиму У овом режиму раста

Филм ће у почетку расти слој по слој током одређеног временског периода, а када достигне одређену дебљину, услед акумулације напрезања, почиње да формира структуру налик на острво. Уопштено говорећи, методе које могу да узгајају монокристалне танке филмове укључују епитаксију молекуларног снопа МБЕ, епитаксију гасне фазе ВПЕ, епитаксију течне фазе ЛПЕ, епитаксу чврсте фазе СПЕ, МОЦВД, ПЛД (пулсно ласерско таложење). 2Д режим раста слој по слој олакшава формирање монокристала, док се ЦВД и ПВД ​​могу користити за генерисање поликристалних или аморфних кристала прилагођавањем услова процеса.